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NEWS SK hynix annuncia le nuove NAND da 238L

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17 Marzo 2021
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Ebbene sì, subito dopo Micron c'è SK hynix che ha appena annunciato le NAND più "alte" mai prodotte, le 238L (V8). Prima di questo momento il record lo deteneva Micron con le 232L (B58R).

Sebbene l'azienda abbia annunciato le NAND con una densità di massimo 512Gb (64GB) - perciò inferiore alle Micron 232L che arrivano fino a 1Tb - ha subito constatato che die da 1Tb verranno venduti già dall'anno prossimo, nonostante quelli da 512Gb sembrino essere migliori sotto certi punti di visto (per esempio per la costruzione di SSD da 512GB di fascia media con controller da 8 canali visto che 8 die da 512Gb permettono ottenere il massimo in termini di parallelismo).

Anche questa generazione di NAND prevede la memorizzazione di 3 bit per cella, quindi celle TLC (triple-level cell). Secondo quando detto dall'azienda sud coreana la velocità dell'I/O è stata aumentata del 50% rispetto alla generazione precedente (176L) arrivando fino a 2400 MT/s. Purtroppo, la differenza di velocità sarà notabile solo con i controller PCIe 5.0 visto che quelli 4.0 hanno canali da massimo 1600 MT/s. Inoltre, l'azienda afferma che l'efficienza durante le letture è stata migliorata del 21%, ciò permette dei vantaggi per portatili e cellulari.

SK hynix ha deciso di continuare ad utilizzare la stessa architettura: charge trap flash (CTF) con periphery-under-cell (PUC), quindi piazzare la parte logica della NAND sotto le celle per permettersi costi inferiori e dispositivi leggermente più piccoli. Questo design SK hynix lo chiama "4D NAND", ma è la stessa cosa che fa Micron chiamandola "CMOS-under-Array" (CuA) e Samsung con "core-over-periphery" (CoP).

SK hynix ha pianificato l'inizio della vendita delle NAND a 238L a metà 2023 per gli SSD, poi per cellulari e drive pensati per data center.
 
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