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NEWS Micron annuncia le nuove NAND da 232L

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17 Marzo 2021
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Nonostante l'annuncio delle NAND 176L (layer) in autunno/inverno del 2020, si stava già pensando al progetto delle NAND di sesta generazione da più di 200 layer, e finalmente Micron ne ha rilevato le specifiche tecniche, proprio a poche settimane dal Flash Memory Summit. Questa nuova generazione porta a un sensibile incremento di performance dal punto di vista tecnico e anche ai più densi die TLC (triple-level cell) mai visti sul mercato, ovvero da 1Tb. NAND con densità del genere permettono di produrre SSD di capacità molto elevate (per esempio 8TB) evitando di utilizzare le NAND di tipo QLC (quad-level cell, cioè che memorizzano 4 bit per cella), quindi senza andare a perdere troppo in performance e durata.

Le NAND da 232L (B58R) saranno disponibili già da quest'anno, e nonostante Micron ne abbia iniziato a parlare a maggio, soltanto ieri sono state annunciate le specifiche tecniche, seppure secondo l'azienda stessa vengano già spediti degli SSD Cruciali ai customer con questa generazione di memorie (ovviamente si parla di volumi limitati). È stato dichiarato, inoltre, che la fabbrica in Singapore è già pronta per la produzione delle nuove NAND.

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Parlando dal punto di vista tecnico, come già detto prima e da come si può vedere dall'immagine sopra, c'è un bella differenza rispetto alle NAND attualmente usate, ovvero le 176L (B47R). Prima di tutto, entrambe hanno una caratteristica in comune: usano un design a 2 deck, questo significa che il numero totale di layer attivi (che appunto in questo caso è 232) è diviso in 2. Entrambi i deck hanno 116L. Invece nel caso delle 176L era diverso, perché erano 2 deck da 88L. Questo design viene adottato da tanto tempo, però è la prima volta che Micron è in grado di mettere più 100 layer per deck, cosa molto interessante visto che già si parla di NAND con più di 300L.

Per quanto riguarda l'interno delle NAND, le cose sono rimaste invariate, Micron ha continuato ad utilizzare la tecnologia charge trap flash (CTF) con architettura CMOS-under-Array (CuA) che consiste nel mettere la parte logica della NAND al di sotto delle celle di memoria. Questo design viene utilizzato dalla produzione delle NAND a 128L (le 96 utilizzavano l'architettura CuA però con la tecnologia a floating gate) e secondo l'azienda riesce a portare dei vantaggi in termini di densità, tant'è che le 232L hanno una densità di 14.6 Gbit/mm² mentre le 176L di 10.3 Gbit/mm² (il 43% in più). Secondo quanto detto da Micron, inoltre, sono stati in grado di ridurre la dimensione del package del 28%, quindi una dimensione di circa 155mm², questo porta a poter utilizzare più chip per dimensioni di SSD più piccole.

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Per quanto concerne le prestazioni, secondo quanto detto da Micron, c'è un incremento della velocità di scrittura del 100% e della lettura di più del 75%, numeri non da poco. Tutto ciò grazie all'utilizzo di 6 piani al posto di 4 (che sono usati nelle NAND attuali) che consentono un maggiore parallelismo. Viene aumentata anche la velocità dell'I/O del 50% passando da 1600 MT/s (ONFi 4.2) a 2400 MT/s (ONFi 5.0), velocità sfruttabili dai controller PCIe 5.0 visto che i canali degli attuali PCIe 4.0 sono da massimo 1600 MT/s.

Al momento non sono stati rilasciati altri dettagli, ma ci si aspetta che verrà fatto al Flash Memory Summit che si terrà dal 2 al 4 agosto.
 
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